IRF7807VD1TR
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF7807VD1TR |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | FETKY™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.3A (Ta) |
IRF7807VD1TR Einzelheiten PDF [English] | IRF7807VD1TR PDF - EN.pdf |
IRF7807V IR
IR SOP-8
HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IR SOP8
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IR SOP-8
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IR SO8
IR SOP8
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IR SOP8
IRF7807VD1PBF-1 IR
IR SOP8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF7807VD1TRInfineon Technologies |
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